IT之家 9 月 12 日消息，近日，康奈尔大学的科学家们使用一个改良的家用微波炉突破了 2nm 半导体工艺生产的重大阻碍，论文已发表于 Applied Physics Letters。

为了使半导体工艺不断缩小，硅必须掺杂越来越高的磷浓度，以促进准确和稳定的电流传输。就目前而言，随着业界开始大规模生产 3nm 组件，传统的退火方法仍然有效。然而，随着精度进一步提升，需要确保高于其在硅中的平衡溶解度的磷浓度。除了实现更高的浓度水平外，一致性对于制造功能性半导体材料也至关重要。

台积电此前推测，微波可用于退火（加热）过程，以促进增加磷的掺杂浓度。然而，以前的微波加热源往往会产生驻波，从而不利于加热的一致性。简单来说，以前的微波退火设备加热内容物会加热不均匀。

康奈尔大学的科学家得到了台积电的支持，开展微波退火研究。本周早些时候，康奈尔大学发表了一篇由此产生的论文，科学家们得出结论，由于他们先进的微波退火方法，已经“成功克服了高于溶解度的高而稳定掺杂的基本挑战”。